Evaluation of Self-Heating Effects in AlGaN Channel Heterostructure field-effect Transistors grown on bulk AlN substrate - GREYC electronique
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Evaluation of Self-Heating Effects in AlGaN Channel Heterostructure field-effect Transistors grown on bulk AlN substrate

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Sciences de l'ingénieur [physics]
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Farid Medjdoub  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04761108

Soumis le : mercredi 30 octobre 2024-22:28:25

Dernière modification le : mardi 5 novembre 2024-03:16:23

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Dates et versions

hal-04761108 , version 1 (30-10-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04761108 , version 1

Citer

Jash Mehta, Yannick Guhel, Julien Bassaler, Yvon Cordier, Philippe Ferrandis, et al.. Evaluation of Self-Heating Effects in AlGaN Channel Heterostructure field-effect Transistors grown on bulk AlN substrate. European Materials Research Society (EMRS) Fall 2024, Sep 2024, Varsovie, Poland. ⟨hal-04761108⟩

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